久久99热只有频精品6狠狠_久久精品国产亚洲夜色AV网站_久久精品夜夜夜夜夜久久_久久久亚洲欧洲日产国产成人无码_久久久一本精品99久久精品88_久久综合色天天久久综合图片_老熟妇乱子交视频一区_理论片午午伦夜理片久久_鲁鲁网亚洲站内射污_免费无码成人AV在线播放不卡,亚洲AV永久无码精品秋霞电影影院,中文字幕久久波多野结衣AV,国产一区360小水滴无线摄像头监控安装

江蘇/無錫市
  • 泉州中福燦宏電子科技有限公司
  • 主營:電子專用材料研發(fā);電子專用材料制造,;電子專用材料銷售,;電子產(chǎn)品銷售;
  • 地址:福建省泉州市安溪縣鳳城鎮(zhèn)民主路536號
  • 成立時(shí)間:2021     注冊資本:100萬人民幣
福建/泉州市
  • 福建安溪燦宏電子科技有限公司
  • 主營:可控硅/晶閘管,單相/三相整流橋模塊,中頻爐逆變可控硅,快速晶閘管/整流管模塊,超快恢復(fù)二極管, 焊接普通晶閘管模塊,電焊機(jī)整流橋,KP普通晶閘管KK快速晶閘管,KA高頻晶閘管,KS雙向晶閘管,ZP整流二極管, ZK快恢復(fù)二極管,散熱器/
  • 地址:福建省泉州市安溪縣鳳城鎮(zhèn)金龍現(xiàn)代廣場1號樓2206室
  • 成立時(shí)間:2015     注冊資本:50萬人民幣
福建/泉州市
  • 西安智盈電氣科技有限公司
  • 主營:經(jīng)營范圍包括一般項(xiàng)目:先進(jìn)電力電子裝置銷售,;電力電子元器件制造,;電力電子元器件銷售;半導(dǎo)體器件專用設(shè)備制造,;半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售,;半導(dǎo)體分立器件制造;半導(dǎo)體分立器件銷售,;電子測量儀器制造,;機(jī)械電氣設(shè)備制造;集成電路芯片及產(chǎn)品制造,;工業(yè)自動控制系統(tǒng)裝置制造,;工業(yè)控制計(jì)算機(jī)及系統(tǒng)制造;電子專用設(shè)備制造,;供應(yīng)用儀器儀表制造,;鐵路專用測量或檢驗(yàn)儀器制造,;繪圖、計(jì)算及測量儀器制造,;鐵路專用測量或檢驗(yàn)儀器銷
  • 地址:陜西省西安市西咸新區(qū)灃東新城中興深藍(lán)科技產(chǎn)業(yè)園B2-2303室
  • 成立時(shí)間:2019     注冊資本:1000萬人民幣
陜西/西安
  • 長沙傾佳電力電子技術(shù)有限公司
  • 主營:SiC模塊全面取代IGBT模塊,,SiC模塊驅(qū)動板,SiC功率模塊替代英飛凌碳化硅SiC模塊長沙代理國產(chǎn)替代,,SiC功率模塊替代英飛凌IGBT模塊,,SiC功率模塊替代三菱IPM模塊長沙代理國產(chǎn)替代,SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊長沙代理國產(chǎn)替代,,SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊長沙代理國產(chǎn)替代,,SiC功率模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊長沙代理國產(chǎn)替代,汽車級碳化硅SiC模塊,,Easy3B碳化硅SiC模塊,,Easy2B碳化硅SiC模塊,Easy1B碳化硅SiC模塊,,34mm碳化硅SiC模塊,,62
  • 地址:長沙高新技術(shù)開發(fā)區(qū)
  • 成立時(shí)間:2018    
湖南/長沙
  • 西安國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET有限公司
  • 主營:楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌三菱賽米控丹佛斯Fuji富士碳化硅SiC模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌三菱賽米控FUJI富士IGBT模塊|SiC功率模塊替代三菱IGBT模塊西安代理國產(chǎn)替代|SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊西安代理國產(chǎn)替代|SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊西安代理國產(chǎn)替代|Easy1B碳化硅SiC模塊|Easy2B碳化硅SiC模塊|Easy3B碳化硅SiC模塊|34mm碳化硅SiC模塊|62mm碳化硅SiC模塊|ED3碳化硅SiC模塊|PIM碳化硅SiC模塊|SiC模
  • 地址:西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)
  • 成立時(shí)間:2018    
陜西/西安
  • 武漢國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET有限公司
  • 主營:楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌三菱賽米控丹佛斯Fuji富士碳化硅SiC模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌三菱賽米控FUJI富士IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代三菱IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代賽米控IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代FUJI富士IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代賽米控丹佛斯功率模塊|楊茜E2B碳化硅SiC模塊|楊茜E3B碳化硅SiC模塊|楊茜34mm碳化硅SiC模塊|楊茜34mm碳化硅SiC模塊|楊茜62mm碳化硅SiC模塊|楊茜ED3碳化硅SiC模塊|
  • 地址:武漢高新技術(shù)開發(fā)區(qū)
  • 成立時(shí)間:2018    
湖北/武漢
  • 廈門傾佳逆變器電力電子有限公司
  • 主營:UPS碳化硅SiC模塊|光伏逆變器SiC碳化硅MOSFET功率模塊|儲能變流器SiC碳化硅MOSFET功率模塊|SiC模塊升級替代IGBT模塊|楊茜SiC模塊驅(qū)動板|楊茜SiC功率模塊替代英飛凌碳化硅SiC模塊廈門代理國產(chǎn)替代|楊茜SiC功率模塊替代英飛凌IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊替代三菱IPM模塊廈門代理國產(chǎn)替代|楊茜SiC功率模塊替代賽米控IGBT模塊廈門代理國產(chǎn)替代|楊茜SiC功率模塊替代FUJI富士IGBT模塊廈門代理國產(chǎn)替代|楊茜SiC功率模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊廈門代理國產(chǎn)替代|楊茜
  • 地址:廈門高新技術(shù)開發(fā)區(qū)
  • 成立時(shí)間:2018    
福建/廈門市
  • 傾佳電子有限公司杭州辦事處
  • 主營:楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌碳化硅SiC模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代英飛凌IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代三菱IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代賽米控IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代富士IGBT模塊|楊茜SiC功率模塊國產(chǎn)替代賽米控丹佛斯功率模塊|杭州SiC功率半導(dǎo)體BASiC基本|杭州SiC加速替代IGBT|楊茜汽車級碳化硅SiC模塊|杭州SiC模塊升級替代IGBT模塊|杭州電力電子|楊茜SiC革IGBT命|杭州SiC碳化硅MOSFET|杭州基本半導(dǎo)體SiC MOSFET一
  • 地址:寧波高新技術(shù)開發(fā)區(qū)
  • 成立時(shí)間:2018    
浙江/杭州
  • 香港傾佳電子有限公司
  • 主營:香港隔離驅(qū)動IC|SiC加速替代IGBT|香港SiC碳化硅MOSFET|香港SiC單管替代IGBT單管|香港SiC模塊替代IGBT模塊|香港基本半導(dǎo)體SiC MOSFET一級代理|香港基本半導(dǎo)體一級代理|香港汽車SiC模塊|香港基本半導(dǎo)體SiC模塊|香港基本半導(dǎo)體SiC單管|香港基本半導(dǎo)體驅(qū)動IC|基本半導(dǎo)體SiC MOSFET|香港BASiC Semiconductor|香港工業(yè)SiC模塊|香港
  • 地址:香港觀塘工業(yè)大廈
  • 成立時(shí)間:2018    
廣東/深圳
  • 上海傾佳電力電子技術(shù)有限公司
  • 主營:SiC模塊革IGBT模塊命|BASiC基本半導(dǎo)體SiC模塊一級代理商|基本半導(dǎo)體SiC模塊替代英飛凌IGBT模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊替代三菱IGBT模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊替代賽米控IGBT模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊替代FUJI富士IGBT模塊|基本半導(dǎo)體SiC模塊替代賽米控丹佛斯功率模塊|62mm基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊|ED3基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET模塊|基本半導(dǎo)體SiC碳化硅降低電源紋波系數(shù)|動態(tài)響應(yīng)|電抗成本|華東電力電子|BASiC基本半導(dǎo)體?華東SiC碳化硅功率器件
  • 地址:上海閔行虹橋商務(wù)區(qū)
  • 成立時(shí)間:2018    
上海/閔行區(qū)
  • 成都傾佳電子技術(shù)有限公司
  • 主營:SiC革IGBT命|逆變焊機(jī)SiC碳化硅MOSFET|射頻電源SiC碳化硅MOSFET|等離子焊機(jī)SiC模塊|工業(yè)焊機(jī)SiC碳化硅模塊|基本半導(dǎo)一級代理|成都國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET|成都BASiC基本半導(dǎo)體|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代三菱IGBT模塊|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代賽米控IGBT模塊|成都基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|成都SiC革IGBT命|成都BASiC基本?SiC碳化硅革掉
  • 地址:成都高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)
  • 成立時(shí)間:2018    
四川/成都
  • 武漢傾佳電子有限公司
  • 主營:BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代英飛凌IGBT模塊|BASiC基本SiC碳化硅MOSFET模塊替代富士IGBT模塊|華中SiC碳化硅MOSFET功率模塊|國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET武漢代理商|SiC碳化硅MOSFET持續(xù)替代IGBT|2000V碳化硅MOSFET|伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET|SVG及APF電能質(zhì)量SiC碳化硅MOSFET|風(fēng)電變流器SiC碳化硅MOSFET模塊|工業(yè)變頻器SiC碳化硅MOSFET|基本公司SiC碳化硅MOSFET|國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET武漢代理商
  • 地址:武漢東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)
  • 成立時(shí)間:2018    
湖北/武漢
  • 傾佳電子有限公司上海辦事處
  • 主營:上海SiC碳化硅MOSFET,基本公司SiC碳化硅MOSFET上海一級代理商,,中國SiC碳化硅功率器件-基本公司,,碳化硅功率器件國產(chǎn)化,基本公司碳化硅MOSFET器件,,BASiC公司碳化硅MOSFET,,SiC碳化硅MOSFET取代IGBT,碳化硅MOSFET單管替代單管IGBT,,SiC碳化硅MOSFET功率模塊替代IGBT模塊,,碳化硅替代IGBT,SiC替代IGBT,,SiC碳化硅MOSFET升級替代IGBT,,基本BASiC碳化硅MOSFET晶圓,SiC碳化硅SBD晶圓,,SiC碳化硅二極管晶圓,,eVTOL電
  • 地址:上海閔行虹橋商務(wù)區(qū)
  • 成立時(shí)間:2018    
上海
  • 深圳傾佳電子碳化硅功率半導(dǎo)體有限公司
  • 主營:傾佳碳化硅二極管,傾佳碳化硅SiC功率MOSFET,傾佳碳化硅MOSFET模塊,傾佳單管IGBT,,傾佳IGBT模塊,,傾佳隔離驅(qū)動IC,傾佳創(chuàng)新型車規(guī)級連接器,,傾佳汽車智能互聯(lián)連接器與線束,,傾佳新能源汽車連接器,傾佳新能源汽車高壓連接器與線束,,傾佳直流充電座,,傾佳耐高壓連接器&插座,,傾佳高能效電源連接器,傾佳大功率RC-IGBT模塊,,傾佳IGBT模塊驅(qū)動器,,傾佳SiC碳化硅MOSFET模塊驅(qū)動板,傾佳碳化硅(SiC)MOSFET模塊,,傾佳IGBT模塊,,傾佳RC-IGBT模塊,傾佳碳化硅(SiC)MOSFET
  • 地址:深圳市福田區(qū)梅林奧士達(dá)大廈
  • 成立時(shí)間:2018    
廣東/深圳
  • 傾佳電子有限公司
  • 主營:汽車智能互聯(lián)連接器與線束,,新能源汽車連接器,新能源汽車高壓連接器與線束,,直流充電座,,耐高壓連接器&插座,英飛凌MOSFET,,國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET,,英飛凌IPM模塊,英飛凌IGBT單管,,英飛凌IGBT單管,,英飛凌IGBT模塊,賽米控IGBT模塊,,丹佛斯IGBT模塊,,三菱IPM模塊,富士IGBT單管,,富士IGBT模塊,,三菱DIP-IPM模塊,基本SiC碳化硅MOSFET,,電力電子,,基本汽車級碳化硅(SiC)模塊,國產(chǎn)氮化鎵GaN,,隔離驅(qū)動IC
  • 地址:深圳市福田區(qū)梅林奧士達(dá)大廈
  • 成立時(shí)間:2018    
廣東/深圳
  • 上海世輝電子有限公司
  • 主營:上海SiC MOSFET功率模塊,,SiC碳化硅MOSFET上海代理,基本半導(dǎo)體上海代理,,LLC諧振SiC碳化硅MOSFET,,國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊,光伏MPPT碳化硅MOSFET,,伺服驅(qū)動SiC碳化硅MOSFET,,逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET,碳化硅MOSFET替代IGBT,,OBC車載SiC碳化硅MOSFET,,儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊,,充電樁電源模塊碳化硅MOSFET,熱管理電動壓縮機(jī)碳化硅MOSFET,,英飛凌SiC碳化硅MOSFET國產(chǎn)替代,,安森美SiC碳化硅MOSF
  • 地址:上海市普陀區(qū)嵐皋路567號品尊國際中心B座20樓
  • 成立時(shí)間:2002    
上海/普陀區(qū)
  • 上海保迪增浩國際貿(mào)易有限公司
  • 主營:上海BASiC基本半導(dǎo)體代理商,汽車主驅(qū)碳化硅模塊,,EV電驅(qū)動SiC MOSFET模塊,,雙面水冷散熱,氫燃料電動汽車碳化硅模塊,,汽車OBC碳化硅MOSFET,定制IGBT模塊,,汽車IGBT模塊,全碳化硅SiC模塊,,EV電動壓縮機(jī)SiC MOSFET模塊,,SiC MOSFET Module,Full SiC Module,Hybrid SiC Module,國產(chǎn)SiC MOSFET,碳化硅SiC MOSFET分立器件,,碳化硅SiC MOSFET模塊,,混合SiC-IGBT單管,三電平IGBT模塊,,I型三電平S
  • 地址:上海市靜安區(qū)南京西路1515號一座3106室
  • 成立時(shí)間:1997    
上海
切換頻道
相關(guān)搜索
今日排行
本周排行
本月排行
網(wǎng)站首頁  |  服務(wù)條款  |  禁售規(guī)則  |  隱私政策  |  隱私聲明  |  關(guān)于我們  |  聯(lián)系我們  |  中小型企業(yè)官網(wǎng)優(yōu)化服務(wù)  |  網(wǎng)站地圖  |  違規(guī)舉報(bào)