4英寸碳化硅基氮化鎵外延片廠家價格結(jié)構(gòu)

蘇州恒邁瑞公司供應4-6英寸碳化硅基氮化鎵外延片，GaN-on-SiC結(jié)合了碳化硅優(yōu)異的導熱性和GaN高功率密度,、低損耗能力,，襯底上的器件可在高電壓和高漏極電流下運行，結(jié)溫將隨RF功率緩慢升高,，RF性能更好,，目前多數(shù)GaN射頻器件的襯底都是碳化硅。受限于SiC襯底,，目前尺寸仍然限制在4寸與6寸,，8寸還沒有推廣。GaN-on-SiC外延片主要用于制造微波射頻器件,。

GaN材料系列具有低的熱產(chǎn)生率和高的擊穿電場,，是研制高溫大功率電子器件和高頻微波器件的重要材料。目前,，隨著 MBE技術(shù)在GaN材料應用中的進展和關(guān)鍵薄膜生長技術(shù)的突破,，成功地生長出了GaN多種異質(zhì)結(jié)構(gòu)。用GaN材料制備出了金屬場效應晶體管（MESFET）,、異質(zhì)結(jié)場效應晶體管(HFET),、調(diào)制摻雜場效應晶體管（MODFET）等新型器件。GaN高效率,、低損耗與高頻率的材料特性使其在消費電子充電器,、電源適配器等領(lǐng)域具有相當?shù)臐B透潛力?？斐鋷覩aN功率器件應用,，與傳統(tǒng)充電器相比，相同功率下的GaN充電器體積更小,，質(zhì)量更輕攜帶便利,。GaN充電器充電功率大，充電速度快,，可滿足多臺設(shè)備同時充電的場景需求,，且價格相對便宜。在電源適配器,、無線充電應用中,， GaN器件關(guān)斷速度快、開關(guān)頻率高,、無反向恢復損失,、低傳導損耗的特點可以得到充分發(fā)揮，逐步取代原有電源適配器中Si MOSFET趨勢明顯,。GaN的“雙高”特性在高性能消費電子設(shè)備中滲透潛力巨大,，可滿足快速充電與充電保護的場景要求,。具體應用場景主要包括：PD快充、電源適配器,、無線充電,、過電壓保護 OVP等。