功率半導(dǎo)體器件一直是電力電子技術(shù)發(fā)展的重要組成部分,，是電力電子裝置實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換、電源管理的核心器件，又稱為電力電子器件,，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉(zhuǎn)換和管理等,，兼具節(jié)能功效。隨著電力電子應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴展和電力電子技術(shù)水平的提高,，功率半導(dǎo)體器件也在不斷發(fā)展和創(chuàng)新,，其應(yīng)用領(lǐng)域已從工業(yè)控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通,、智能電網(wǎng),、變頻家電等諸多市場，市場規(guī)模呈現(xiàn)穩(wěn)健增長態(tài)勢,。
    

  不同材料,、不同技術(shù)的功率器件的性能差異很大。市面上傳統(tǒng)的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求,。但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間,，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,，這就對器件的測試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。

  靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的,，與其工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù),。靜態(tài)參數(shù)測試又叫穩(wěn)態(tài)或者DC（直流）狀態(tài)測試，施加激勵(電壓/電流)到穩(wěn)定狀態(tài)后再進行的測試,。主要包括：柵極開啟電壓,、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓,、源極漏級間漏電流,、寄生電容(輸入電容、轉(zhuǎn)移電容,、輸出電容),以及以上參數(shù)的相關(guān)特性曲線的測試,。

  圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET閾值電壓漂移的影響,、溫度及脈寬對SiC MOSFET導(dǎo)通電阻的影響,、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導(dǎo)通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC   MOSFET測試的影響等多個維度,，針對測試中存在的測不準(zhǔn),、測不全,、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表（SMU）的測試方案,，具有更優(yōu)的測試能力,、更準(zhǔn)確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力,。功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)測試機1700V+1000A認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,，詳詢一八一四零六六三四七六；

系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）,；  
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）,；
高精度：支持uΩ級導(dǎo)通電阻、nA級漏電流測試,；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板,，方便用戶快速配置測試參數(shù)；
配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能,；
數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,，亦可一鍵導(dǎo)出；
模塊化設(shè)計：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計,，可自由配置,，方便維護；
可拓展：支持拓展溫控功能,，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度,；
可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces,、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges,、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容,、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,，C-V特性曲線掃描等

普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,，深耕半導(dǎo)體測試領(lǐng)域，在I-V測試上積累了豐富的經(jīng)驗,，先后推出了直流源表,，脈沖源表、脈沖恒流源,、脈沖恒壓源,、功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)、大功率激光器老化測試系統(tǒng)等測試設(shè)備,，廣泛應(yīng)用于高校研究所,、實驗室,，新能源，光伏,，風(fēng)電,，軌交，變頻器等場景,。