普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),，集多種測量和分析功能一體,，可以精準測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、BJT,、IGBT以及SiC,、GaN第三代半導體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級J確測量,、nA級電流測量能力等特點,。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容，如輸入電容,、輸出電容,、反向傳輸電容等。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,，模塊化的設計測試方法靈活,，方便用戶添加或升級測量模塊，適應測量功率器件不斷變化的需求,。第三代半導體SiC MOSFET靜態(tài)參數(shù)測試設備認準普賽斯儀表,，詳詢一八一四零六六三四七六；

系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),，主要包括測試主機,、測試線、測試夾具,、電腦,、上位機軟件，以及相關通訊,、測試配件等構(gòu)成,。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機，內(nèi)置多種規(guī)格電壓,、電流,、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機測試軟件,，可根據(jù)測試項目需要,，設置不同的電壓、電流等參數(shù),，以滿足不同測試需求,。測試數(shù)據(jù)可保存與導出，并可生成I-V以及C-V特性曲線,。此外,，測試主機可與探針臺搭配使用，實現(xiàn)晶圓級芯片測試,；也可與高低溫箱,、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測試需求,。

測試主機內(nèi)部采用的電壓,、電流測量單元,，均采用多量程設計，測試精度為0.1%,。其中,，柵極-發(fā)射極，Z大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,，可測試低至pA級漏電流,；集電極-發(fā)射極，Z大支持6000A高速脈沖電流,，典型上升時間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能,；Z高支持3500V電壓輸出,，且自帶漏電流測量功能。電容特性測試,，包括輸入電容,，輸出電容，以及反向傳輸電容測試,，頻率Z高支持1MHz,。

系統(tǒng)特點

高電壓：支持高達3.5KV高電壓測試（Z大擴展至10kV）；      
大電流：支持高達6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）,；
高精度：支持uΩ級導通電阻,、nA級漏電流測試；
豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板,，方便用戶快速配置測試參數(shù),；
配置導出：支持一鍵導出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能；
數(shù)據(jù)預覽及導出：支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果,，亦可一鍵導出,；
模塊化設計：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設計，可自由配置,，方便維護,；
可拓展：支持拓展溫控功能，方便監(jiān)控系統(tǒng)運行溫度,；
可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā),；

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces,、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices,、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容,、輸出電容,、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,，C-V特性曲線掃描等

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體，IGBT,、SiC,、MOS、GaN等產(chǎn)品,，普賽斯提供

整套測試夾具解決方案,，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試,。

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,，產(chǎn)品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析,。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣,，歡迎隨時聯(lián)系我們，詳詢一八一四零六六三四七六,；