半導體分立器件是指以半導體材料為基礎的單一元件，包括各種半導體材料制成的二極管,、三極管,、場效應管、可控硅等,，具有整流,、放大、開關,、檢波,，穩(wěn)壓、信號調制等多種功能,，衡量晶體管性能好壞主要是通過I-V測試或C-V測試來提取晶體管的基本特性參數(shù),，并在整個工藝結束后評估器件的優(yōu)劣。    

半導體分立器件特性參數(shù)測試是對待測器件（DUT）施加電壓或電流,，然后測試其對激勵做出的響應；通常半導體分立器件特性參數(shù)測試需要幾臺儀器完成,，如數(shù)字表,、電壓源,、電流源等。然而由數(shù)臺儀器組成的系統(tǒng)需要分別進行編程,、同步,、連接、測量和分析,，過程既復雜又耗時,，還占用過多測試臺的空間。而且使用單一功能的測試儀器和激勵源還存在復雜的相互間觸發(fā)操作,，有更大的不確定度及更慢的總線傳輸速度等缺點,。

實施特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。普賽斯歷時多年打造了高精度,、大動態(tài)范圍,、率先國產化的源表系列產品，集電壓,、電流的輸入輸出及測量等功能于一體,。可作為獨立的恒壓源或恒流源,、伏特計,、安培計和歐姆表，還可用作精密電子負載,。其高性能架構還允許將其用作脈沖發(fā)生器,，波形發(fā)生器和自動電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作,。普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡摺⑵骷y試工程師及功率模塊設計工程師提供測量所需的工具,。不論使用者對源表,、電橋、曲線跟蹤儀,、半導體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉,，都能簡單而迅速地得到精確的結果。

普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表

普賽斯源表輕松實現(xiàn)二極管特性參數(shù)分析       

二極管是一種使用半導體材料制作而成的單向導 電性元器件,，產品結構一般為單個PN結結構,，只允許電流從單一方向流過。發(fā)展至今,，已陸續(xù)發(fā)展出整流二 極管,、肖特基二極管、快恢復二極管、PIN二極管,、光電   二極管等,，具有安全可靠等特性，廣泛應用于整流,、穩(wěn)壓,、保護等電路中，是電子工程上用途最廣泛的電子元器件之一,。IV特性是表征半導體二極管PN結制備性能的主要參數(shù)之一,，二極管IV特性主要指正向特性和反向特性

普賽斯S系列、P系列源表簡化場效應MOS管I-V特性分析  

MOSFET(金屬—氧化物半導體場效應晶體管)是      一種利用電場效應來控制其電流大小的常見半導體器件,，可以廣泛應用在模擬電路和數(shù)字電路當中,，MOSFET可以由硅制作，也可以由石墨烯,，碳納米管       等材料制作,，是材料及器件研究的熱點。主要參數(shù)有輸入/輸出特性曲線,、閾值電壓 VGS(th),、漏電流IGSS、         IDSS,，擊穿電壓VDSS,、低頻互導gm、輸出電阻RDS等,。

普賽斯數(shù)字源表快速,、準確進行三極管BJT特性分析

三極管是半導體基本元器件之一，具有電流放大作用,，是電子電路的核心元件,。三極管是在一塊半導體    基片上制作兩個相距很近的PN結，兩個PN結把整塊 半導體分成三部分,，中間部分是基區(qū),，兩側部分是發(fā)射    區(qū)和集電區(qū)。設計電路中常常會關注的參數(shù)有電流放大系數(shù)β,、極間反向電流ICBO,、ICEO、集電極Z大允許電流ICM,、反向擊穿電壓VEBO,、VCBO、VCEO以及三極管的輸入輸出特性曲線等參數(shù),。 

普賽斯五合一高精度數(shù)字源表（SMU）在半導體IV特性測試方面擁有豐富的行業(yè)經驗,，為半導體分立器件電性能參數(shù)測試提供全面的解決方案,，包括二極管、MOS管,、BJT,、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等,。此外，普賽斯儀表還提供適當?shù)碾娎|輔件和測試夾具,，實現(xiàn)安全,、精確和可靠的測試。欲了解更多半導體分立器件測試系統(tǒng)的信息,，歡迎隨時來電咨詢普賽斯儀表,！詳詢一八一四零六六三四七六；