武漢普賽斯高電壓+半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀,，集多種測量和分析功能一體,，可以精準(zhǔn)測量不同封裝類型功率器件（如MOSFET,、BJT,、IGBT以及SiC,、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性,、μΩ級J確測量,、納安級電流測量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,，如輸入電容,、輸出電容、反向傳輸電容等,。

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)配置有多種測量單元模塊,，模塊化的設(shè)計(jì)測試方法靈活，方便用戶添加或升級測量模塊,，適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求,。詳詢一八一四零六六三四七六；

測試系統(tǒng)組成

普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),，主要包括測試主機(jī),、測試線、測試夾具,、電腦,、上位機(jī)軟件，以及相關(guān)通訊,、測試配件等構(gòu)成,。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓,、電流,、電容測量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測試軟件,，可根據(jù)測試項(xiàng)目需要,，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測試需求,。測試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出,，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,，測試主機(jī)可與探針臺搭配使用,，實(shí)現(xiàn)晶圓級芯片測試；也可與高低溫箱,、溫控模塊等搭配使用,，滿足高低溫測試需求。

測試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓,、電流測量單元,，均采用多量程設(shè)計(jì)，測試精度為0.1%,。其中,，柵極-發(fā)射極，蕞大支持30V@10A脈沖電流輸出與測試,，可測試低至皮安級漏電流,；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流,，典型上升時間為15μs,，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出,，且自帶漏電流測量功能,。電容特性測試，包括輸入電容,，輸出電容,，以及反向傳輸電容測試，頻率蕞高支持1MHz,。

系統(tǒng)特點(diǎn)

高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測試（Z大擴(kuò)展至10kV）,；

大電流：支持高達(dá)6KA大電流測試（多模塊并聯(lián)）；

高精度：支持uΩ級導(dǎo)通電阻,、納安級漏電流測試,；

豐富模板：內(nèi)置豐富的測試模板，方便用戶快速配置測試參數(shù),；

配置導(dǎo)出：支持一鍵導(dǎo)出參數(shù)配置及一鍵啟動測試功能,；

數(shù)據(jù)預(yù)覽及導(dǎo)出：支持圖形界面以及表格展示測試結(jié)果，亦可一鍵導(dǎo)出,；

模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),，可自由配置,，方便維護(hù)；

可拓展：支持拓展溫控功能,，方便監(jiān)控系統(tǒng)運(yùn)行溫度,；

可定制開發(fā)：可根據(jù)用戶測試場景定制化開發(fā)；

系統(tǒng)參數(shù)

測試項(xiàng)目

集電極-發(fā)射極電壓Vces,，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces,、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat

集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges

柵極-發(fā)射極電壓Vges,、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)

輸入電容,、輸出電容,、反向傳輸電容

續(xù)流二極管壓降Vf

I-V特性曲線掃描,，C-V特性曲線掃描等

測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導(dǎo)體，IGBT,、SiC,、MOS、GaN等產(chǎn)品,，普賽斯提供

整套測試夾具解決方案,，可用于T0單管，半橋模組等產(chǎn)品的測試,。

選擇普賽斯儀表的理由

武漢普賽斯是國內(nèi)蕞早生產(chǎn)源表的廠家,，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍,，產(chǎn)已經(jīng)過了市場的考驗(yàn),、市面有近500臺源表在使用；

普賽斯儀表特色：高電流,、高電壓測試,，3500V電壓下可測量皮安級漏電流，1000A脈沖電流源15us的超快上升沿,。

高電壓+半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測試儀訂貨信息