SiC/IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展

 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降,、高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),在較高頻率的大,、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。

 新能源汽車受800V驅(qū)動(dòng)，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速,，貢獻(xiàn)蕞大下游市場(chǎng)并帶動(dòng)充電樁,、光儲(chǔ)及UPS市場(chǎng)逐步增長(zhǎng)。碳化硅器件當(dāng)前以電壓等級(jí)600-1700V,，功率等級(jí)10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對(duì)象.以下五類細(xì)分應(yīng)用成為當(dāng)前及未來的核心潛力領(lǐng)域:

     800V架構(gòu)帶來的直接性能提升,，疊加供給端、應(yīng)用端,、成本端多重利好,，推動(dòng)新能源汽車成為SiC未來5年核心應(yīng)用陣地。

SiC/IGBT功率半導(dǎo)體器件主要測(cè)試參數(shù)

  近年來IGBT成為電力電子領(lǐng)域中尤為矚目的電力電子器件,并得到越來越廣泛的應(yīng)用,那么IGBT的測(cè)試就變的尤為重要了,。lGBT的測(cè)試包括靜態(tài)參數(shù)測(cè)試,、動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試、功率循環(huán),、HTRB可靠性測(cè)試等,這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試,。

  隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升，測(cè)試和驗(yàn)證也變得更加重要,。通常,，主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性,、開關(guān)特性,。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標(biāo)，與工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù),，如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)（如擊穿電壓V(BR)DSS,、漏電流I  CES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th),、跨導(dǎo)Gfs,、壓降VF 、導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)）等,。功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式器件,，兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)；同時(shí)半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片,，需要工作在大電流,、高電壓、高頻率的環(huán)境下,，對(duì)芯片的可靠性要求較高，這給測(cè)試帶來了一定的困難,。市面上傳統(tǒng)的測(cè)量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測(cè)試需求,，但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,，這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn),。

普賽斯IGBT功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試解決方案

  PMST系列功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造的高精密電壓/電流測(cè)試分析系統(tǒng),，是一款能夠提供IV,、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng),，具有高精度,、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì),、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì),，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET,、BJT,、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓,、芯片,、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試，并具有優(yōu)秀的測(cè)量效率,、一致性與可靠性,。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。詳詢18140663476

  針對(duì)用戶不同測(cè)試場(chǎng)景的使用需求,，普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)產(chǎn)線全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)三款功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),。

從實(shí)驗(yàn)室到小批量,、大批量產(chǎn)線的全覆蓋 

從Si   IGBT、SiC MOS到GaN HEMT的全覆蓋 

從晶圓,、芯片,、器件、模塊到IPM的全覆蓋

igbt靜態(tài)性能測(cè)試設(shè)備特點(diǎn)

1,、高電壓,、大電流

具有高電壓測(cè)量/輸出能力，電壓高達(dá)3500V（蕞大可擴(kuò)展至10kV）

具有大電流測(cè)量/輸出能力,，電流高達(dá)6000A（多模塊并聯(lián)）

2,、高精度測(cè)量

nA級(jí)漏電流，μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻 

0.1％精度測(cè)量 

四線制測(cè)試

3,、模塊化配置

可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元

系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,，后期可添加或   升級(jí)測(cè)量單元

4,、測(cè)試效率高

內(nèi)置專用開關(guān)矩陣，根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元 

支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試

5,、軟件功能豐富

上位機(jī)自帶器件標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)測(cè)試項(xiàng)目模板,，可直接調(diào)取使用

支持曲線繪制

自動(dòng)保存測(cè)試數(shù)據(jù)，并支持EXCEL格式導(dǎo)出

開放的標(biāo)準(zhǔn)SCPI指令集,，可與第三方系統(tǒng)集成

6,、擴(kuò)展性好

支持常溫及低溫、高溫測(cè)試

可靈活定制各種夾具

可與探針臺(tái),，溫箱等第三方設(shè)備聯(lián)動(dòng)使用

硬件特色與性能優(yōu)勢(shì)

1,、大電流輸出響應(yīng)快，無過沖

采用自主開發(fā)的高性能脈沖式大電流源,、高壓源,，輸出建立過程響應(yīng)快、無過沖,。測(cè)試過程中,，大電流典型上升時(shí)間為15μs，    脈寬在50~500μs之間可調(diào),。采用脈沖大電流的測(cè)試方式,，可有 效降低器件因自身發(fā)熱帶來的誤差。

2,、高壓測(cè)試支持恒壓限流,，恒流限壓模式

采用自主開發(fā)的高性能高壓源，輸出建立與斷開響應(yīng)快,、無過沖,。在擊穿電壓測(cè)試中，可設(shè)定電流限制或者電壓限值,，防止    器件因過壓或過流導(dǎo)致?lián)p壞,。

規(guī)格參數(shù)